2N353 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N353  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.25 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO27

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2N353 datasheet

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2N353

2N3537 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

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2N353

2N3536 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

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2N353

2N3535 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = dia. IC = 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can b

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