2N3570 Todos los transistores

 

2N3570 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3570
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N3570 Datasheet (PDF)

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2N3570

2N3570NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORDESCRIPTION:The 2N3570 is Designed for HighFrequency Low Noise Amplifier andOscillator Applications.PACKAGE STYLE TO- 72MAXIMUM RATINGSIC 50 mAVCB 30 VVCE 15 VVEB 3.0 VPDISS 200 mW @ TC = 25 OCTJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR 4 = CASE500 OC/WJCNONECHARACTER

Otros transistores... 2N3564 , 2N3565 , 2N3566 , 2N3567 , 2N3568 , 2N3569 , 2N356A , 2N357 , BD135 , 2N3571 , 2N3572 , 2N3576 , 2N3577 , 2N3579 , 2N357A , 2N358 , 2N3580 .

 

 
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