2N3577 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3577 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 12
Encapsulados: TO53
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2N3577 datasheet
2n3570.pdf
2N3570 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N3570 is Designed for High Frequency Low Noise Amplifier and Oscillator Applications. PACKAGE STYLE TO- 72 MAXIMUM RATINGS IC 50 mA VCB 30 V VCE 15 V VEB 3.0 V PDISS 200 mW @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC 1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR 4 = CASE 500 OC/W JC NONE CHARACTER
Otros transistores... 2N3568, 2N3569, 2N356A, 2N357, 2N3570, 2N3571, 2N3572, 2N3576, TIP127, 2N3579, 2N357A, 2N358, 2N3580, 2N3581, 2N3582, 2N3583, 2N3584
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N3648 | NB122FJ | 2SB257 | 2SB941A | 2N3838 | NB024FK | UN6119
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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