2N357A Todos los transistores

 

2N357A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N357A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO5
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N357A Datasheet (PDF)

 9.2. Size:16K  advanced-semi
2n3570.pdf pdf_icon

2N357A

2N3570NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTORDESCRIPTION:The 2N3570 is Designed for HighFrequency Low Noise Amplifier andOscillator Applications.PACKAGE STYLE TO- 72MAXIMUM RATINGSIC 50 mAVCB 30 VVCE 15 VVEB 3.0 VPDISS 200 mW @ TC = 25 OCTJ -65 OC to +200 OCTSTG -65 OC to +200 OC1 = EMITTER 2 = BASE3 = COLLECTOR 4 = CASE500 OC/WJCNONECHARACTER

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD695A | NTE27 | 2N6208 | BF152 | 2SC2388 | 2SD1127 | BC238B

 

 
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