ED1801 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ED1801
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 110
Encapsulados: TO92
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ED1801 datasheet
ed1802.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 ED1802 PNP general purpose transistor 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 May 27 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistor ED1802 FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 25 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector
Otros transistores... ED1701L , ED1701M , ED1701N , ED1702 , ED1702K , ED1702L , ED1702M , ED1702N , 2SC2240 , ED1801K , ED1801L , ED1801M , ED1801N , ED1802 , ED1802K , ED1802L , ED1802M .
History: 2SB111 | BDT29C | 2N5691 | 2N1703 | 2SA1537 | ZT3440 | ZT60
History: 2SB111 | BDT29C | 2N5691 | 2N1703 | 2SA1537 | ZT3440 | ZT60
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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