ED1801 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ED1801
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для ED1801
ED1801 Datasheet (PDF)
ed1802.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186ED1802PNP general purpose transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor ED1802FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 25 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
Другие транзисторы... ED1701L , ED1701M , ED1701N , ED1702 , ED1702K , ED1702L , ED1702M , ED1702N , D882P , ED1801K , ED1801L , ED1801M , ED1801N , ED1802 , ED1802K , ED1802L , ED1802M .
History: RN1114FT | KST13 | ED1802M
History: RN1114FT | KST13 | ED1802M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor