ESM12A Todos los transistores

 

ESM12A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ESM12A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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ESM12A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

ESM12A

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

 9.2. Size:437K  dynex
 dim2400esm12-a.pdf pdf_icon

ESM12A

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

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