ESM12B Todos los transistores

 

ESM12B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ESM12B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO66

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ESM12B datasheet

 9.1. Size:400K  dynex
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ESM12B

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

 9.2. Size:437K  dynex
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ESM12B

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

Otros transistores... ESM10040 , ESM10045 , ESM10050 , ESM113 , ESM114 , ESM117 , ESM118 , ESM12A , 2N3055 , ESM132 , ESM133 , ESM134 , ESM135 , ESM136 , ESM137 , ESM138 , ESM139 .

History: 2N4009 | ZTX413 | 2N622

 

 

 

 

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