ESM12B - описание и поиск аналогов

 

ESM12B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ESM12B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для ESM12B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ESM12B даташит

 9.1. Size:400K  dynex
 dim1800esm12-a.pdf pdf_icon

ESM12B

DIM1800ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5529-3 DS5529-4 October 2010 (LN27613) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1800A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 3600A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the a

 9.2. Size:437K  dynex
 dim2400esm12-a.pdf pdf_icon

ESM12B

DIM2400ESM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5536-3.0 DS5536-4 October 2010 (LN27615) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 2400A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 4800A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

Другие транзисторы: ESM10040, ESM10045, ESM10050, ESM113, ESM114, ESM117, ESM118, ESM12A, 2N3055, ESM132, ESM133, ESM134, ESM135, ESM136, ESM137, ESM138, ESM139

 

 

 

 

↑ Back to Top
.