2N3632 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3632  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 23 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO62

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2N3632 datasheet

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2N3632

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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2N3632

2N3637DCSM MECHANICAL DATA DUAL PNP SILICON TRANSISTORS Dimensions in mm (inches) IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) FEATURES 2 3 High Voltage Switching 1 4 A Low Power Amplifier Applications 0.23 6 5 rad. (0.009) Herme

 9.3. Size:32K  semelab
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2N3632

2N3634CSM MECHANICAL DATA PNP SILICON TRANSISTOR IN A Dimensions in mm (inches) HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR 0.51 0.10 (0.02 0.004) 0.31 HIGH RELIABILITY APPLICATIONS rad. (0.012) 3 FEATURES 21 High Voltage Switching 1.91 0.10 Low Power Amplifier Applications (0.075 0.004) A 0.31 rad. Hermetic Ceramic Surface Mount (0.012) 3.

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