F123 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F123
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO53
Búsqueda de reemplazo de F123
F123 Datasheet (PDF)
draf123j.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF123JSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF123JDRA3123J in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packageP
draf123y.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRAF123YSilicon PNP epitaxial planar typeFor digital circuitsComplementary to DRCF123YDRA3123Y in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free packagePac
sf016 sf018 sf116 sf117 sf118 sf119 sf121 sf123 sf126 sf127 sf128 sf129 sf131 sf132 sf136 sf137 sf150 sf215 sf216 sf225 sf235 sf240 sf245.pdf

Otros transistores... F119 , F119A , F120 , F120A , F121 , F121A , F122 , F122A , 2SD1555 , F123A , F124 , F124A , F2 , F3 , F4 , F5 , FA1A3Q .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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