F123. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F123

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO53

 Аналоги (замена) для F123

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F123 даташит

 0.1. Size:170K  fairchild semi
irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdfpdf_icon

F123

 0.2. Size:225K  panasonic
draf123j.pdfpdf_icon

F123

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF123J Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF123J DRA3123J in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package P

 0.3. Size:225K  panasonic
draf123y.pdfpdf_icon

F123

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRAF123Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRCF123Y DRA3123Y in ML3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction ML3-N4-B Eco-friendly Halogen-free package Pac

Другие транзисторы: F119, F119A, F120, F120A, F121, F121A, F122, F122A, S9018, F123A, F124, F124A, F2, F3, F4, F5, FA1A3Q