2N3634S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N3634S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3634S

2N3634S Datasheet (PDF)

8.1. Size:87K central
2n3634 2n3635.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

8.2. Size:32K semelab
2n3634csm.pdf

2N3634CSMMECHANICAL DATAPNP SILICON TRANSISTOR IN ADimensions in mm (inches)HERMETICALLY SEALED CERAMICSURFACE MOUNT PACKAGE FOR0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31 HIGH RELIABILITY APPLICATIONSrad.(0.012)3FEATURES21 High Voltage Switching1.91 0.10 Low Power Amplifier Applications(0.075 0.004)A0.31rad. Hermetic Ceramic Surface Mount(0.012)3.

8.3. Size:219K bocasemi
2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf

Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

8.4. Size:227K microsemi
2n3634l.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

8.5. Size:227K microsemi
2n3634ub.pdf