2N3635S Todos los transistores

 

2N3635S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3635S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N3635S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:87K  central
 2n3634 2n3635.pdf pdf_icon

2N3635S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:219K  bocasemi
 2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf pdf_icon

2N3635S

Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

 8.3. Size:247K  cdil
 2n3635 6 7.pdf pdf_icon

2N3635S

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS 2N36352N36362N3637TO-39Metal Can Package2N3635 and 2N3637 Are PNP Silicon Transistros For High Voltage Switching and Low Power Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 2N3635 2N3636, 37 UNITSCollector E

 8.4. Size:227K  microsemi
 2n3635ub.pdf pdf_icon

2N3635S

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

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History: D44U5 | D43CJ2 | PN3962 | JE9100C | TRF464A | MSB92AW | 2SC4075C

 

 
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