FM911 Todos los transistores

 

FM911 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FM911
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.375 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO46
     - Selección de transistores por parámetros

 

FM911 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:234K  fairchild semi
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FM911

SFM9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -1.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaSOT-223n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100V2n Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

 0.2. Size:998K  samsung
sfm9110.pdf pdf_icon

FM911

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MCH5541 | DMG56404 | 2SD1723T | JA100R | BU221 | BUR52 | FXT657SM

 

 
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