Биполярный транзистор FM911 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FM911
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.375 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
Корпус транзистора: TO46
FM911 Datasheet (PDF)
sfm9110tf.pdf
SFM9110Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 Vn Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input CapacitanceID = -1.0 An Improved Gate Chargen Extended Safe Operating AreaSOT-223n Lower Leakage Current : 10 A(Max.) @ VDS = -100V2n Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings
sfm9110.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -1.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V2 Lower RDS(ON) : 0.912 (Typ.)131. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050