FMG8A Todos los transistores

 

FMG8A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMG8A
   Código: G8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC74A
 

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FMG8A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 umg8n fmg8a g2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

FMG8A

TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG8N / FMG8AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..2. Size:67K  rohm
 emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

FMG8A

EMG8 / UMG8N / FMG8ATransistorsEmitter common(dual digital transistors)EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMTEMG8package.2) Mounting cost and area can be cut in half.(4) (3)(2)(5) (1)1.21.6 StructureEach lead has same dimensionsEpitaxial planar typeROHM : EMT5NPN silicon transistorAbbrevia

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History: 2N1624

 

 
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