Справочник транзисторов. FMG8A

 

Биполярный транзистор FMG8A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FMG8A
   Маркировка: G8
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC74A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FMG8A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 umg8n fmg8a g2 sot23-5 sot353.pdf pdf_icon

FMG8A

TransistorsEmitter common (dual digital transistors)UMG8N / FMG8AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC143T chips in a UMT orSMT package.2) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(Built-in resistor type)The following characteristics apply toboth DTr1 and DTr2.FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)

 ..2. Size:67K  rohm
 emg8 umg8n fmg8a.pdf pdf_icon

FMG8A

EMG8 / UMG8N / FMG8ATransistorsEmitter common(dual digital transistors)EMG8 / UMG8N / FMG8A Features External dimensions (Units : mm)1) Two DTC143Z chips in a EMT or UMT or SMTEMG8package.2) Mounting cost and area can be cut in half.(4) (3)(2)(5) (1)1.21.6 StructureEach lead has same dimensionsEpitaxial planar typeROHM : EMT5NPN silicon transistorAbbrevia

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3364 | DTL3512 | 2SD2014 | 2N736B | KSB795 | 2SB1394 | BDS16

 

 
Back to Top

 


 
.