FMMT4889 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMMT4889
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 160 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FMMT4889
FMMT4889 Datasheet (PDF)
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A Product Line ofDiodes IncorporatedFMMT48930V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data BVCEO > 30V Case: SOT-23 IC = 1A high Continuous Collector Current Case material: Molded Plastic. Green Molding Compound. ICM Up to 4A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Excellent hFE Characteristics Up To 4A Moisture Sens
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FMMT489SMD Type ICSMD Type TransistorsMedium Power TransistorSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesVery low equivalent on-resistance12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 50 VCollector-emitter voltage VCEO 30 VEmitter-base v
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FMMT489NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. SOT-23 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1 A Po
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
