FMW6 Todos los transistores

 

FMW6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMW6
   Código: W6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 27
   Paquete / Cubierta: SC74A
 

 Búsqueda de reemplazo de FMW6

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMW6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  rohm
 umw6n fmw6 w6 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

FMW6

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMXTransistorsTransistorsUMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX(94S-404-C101)

 0.1. Size:331K  inchange semiconductor
 fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW6

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HFFEATURESDrain Current : I = 53.2A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dri

 0.2. Size:231K  inchange semiconductor
 fmw60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMW6

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HFFEATURESWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sour

Otros transistores... FMS2A , FMS3 , FMS4 , FMW1 , FMW10 , FMW2 , FMW3 , FMW4 , 2SD669A , FMW7 , FMW8 , FMY1A , FMY3A , FMY4A , FMY5 , FMY6 , FN1A3Q .

 

 
Back to Top

 


 
.