FMW6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMW6

Маркировка: W6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 27

Корпус транзистора: SC74A

 Аналоги (замена) для FMW6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMW6 даташит

 ..1. Size:50K  rohm
 umw6n fmw6 w6 sot353 sot23-5.pdf pdf_icon

FMW6

UMW6N / UMW10N / UMX4N / FMW6 / FMW10 / IMX Transistors Transistors UMW7N / UMW8N / UMX5N / FMW7 / FMW8 / IMX (94S-404-C101)

 0.1. Size:331K  inchange semiconductor
 fmw60n070s2hf.pdf pdf_icon

FMW6

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N070S2HF FEATURES Drain Current I = 53.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dri

 0.2. Size:231K  inchange semiconductor
 fmw60n190s2hf.pdf pdf_icon

FMW6

isc N-Channel MOSFET Transistor FMW60N190S2HF FEATURES With low gate drive requirements Low switching loss Low on-state resistance Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sour

Другие транзисторы: FMS2A, FMS3, FMS4, FMW1, FMW10, FMW2, FMW3, FMW4, D880, FMW7, FMW8, FMY1A, FMY3A, FMY4A, FMY5, FMY6, FN1A3Q