FXT453 Todos los transistores

 

FXT453 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXT453
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
 

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FXT453 Datasheet (PDF)

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FXT453

NPN SILICON PLANARFXT453MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANARFXT455MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANARFXT450MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 SEPTEMBER 1994 T V I V i T T 8 E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I

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