FXT453 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXT453

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

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FXT453 datasheet

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FXT453

NPN SILICON PLANAR FXT453 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANAR FXT455 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANAR FXT450 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

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FXT453

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT458 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 1 SEPTEMBER 1994 T V I V i T T 8 E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I

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