Биполярный транзистор FXT453
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FXT453
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Аналоги (замена) для FXT453
FXT453
Datasheet (PDF)
..1. Size:25K diodes
fxt453.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT453MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.1. Size:25K diodes
fxt455.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT455MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.2. Size:25K diodes
fxt450.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT450MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V
9.3. Size:26K diodes
fxt458.pdf 
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER FXT458HIGH VOLTAGE TRANSISTORISSUE 1 SEPTEMBER 1994 T V I V i T T 8 E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I V I i V V I V I II I
9.4. Size:25K diodes
fxt451.pdf 
NPN SILICON PLANARFXT451MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
