FXT55 Todos los transistores

 

FXT55 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXT55
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXT55 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:26K  diodes
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FXT55

PNP SILICON PLANARFXT555MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

 0.2. Size:26K  diodes
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FXT55

PNP SILICON PLANARFXT551MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I

 0.3. Size:26K  diodes
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FXT55

PNP SILICON PLANARFXT553MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

 0.4. Size:25K  diodes
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FXT55

PNP SILICON PLANARFXT557MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C) T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I

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