FXT55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXT55

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для FXT55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT55 даташит

 0.1. Size:26K  diodes
 fxt555.pdf pdf_icon

FXT55

PNP SILICON PLANAR FXT555 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

 0.2. Size:26K  diodes
 fxt551.pdf pdf_icon

FXT55

PNP SILICON PLANAR FXT551 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 SEPT 93 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I

 0.3. Size:26K  diodes
 fxt553.pdf pdf_icon

FXT55

PNP SILICON PLANAR FXT553 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I i i V I i V V I I V I II I V V

 0.4. Size:25K  diodes
 fxt557.pdf pdf_icon

FXT55

PNP SILICON PLANAR FXT557 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i T T E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C) T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FXT52, FXT52SM, FXT53, FXT53SM, FXT54, FXT549, FXT549SM, FXT54SM, 2N2907, FXT550, FXT550SM, FXT551, FXT551SM, FXT553, FXT553SM, FXT555, FXT555SM