FXT649SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXT649SM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SO96
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FXT649SM Datasheet (PDF)
fxt649.pdf
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NPN SILICON PLANARFXT649MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .