FXT649SM Todos los transistores

 

FXT649SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXT649SM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SO96
 

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FXT649SM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:28K  diodes
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FXT649SM

NPN SILICON PLANARFXT649MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V

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History: 3DA30C | FTC4373 | JE9093B | 40636 | MSC80196 | 2SD130 | 2SB108

 

 
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