FXT649SM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXT649SM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SO96

 Búsqueda de reemplazo de FXT649SM

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FXT649SM datasheet

 8.1. Size:28K  diodes
 fxt649.pdf pdf_icon

FXT649SM

NPN SILICON PLANAR FXT649 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V

Otros transistores... FXT601B, FXT601BSM, FXT603, FXT603SM, FXT605, FXT605SM, FXT614, FXT649, 2N5551, FXT651, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655, FXT655SM, FXT657, FXT657SM