FXT649SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT649SM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SO96

 Аналоги (замена) для FXT649SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT649SM даташит

 8.1. Size:28K  diodes
 fxt649.pdf pdf_icon

FXT649SM

NPN SILICON PLANAR FXT649 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I I TI i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V

Другие транзисторы: FXT601B, FXT601BSM, FXT603, FXT603SM, FXT605, FXT605SM, FXT614, FXT649, 2N5551, FXT651, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655, FXT655SM, FXT657, FXT657SM