FXT655SM Todos los transistores

 

FXT655SM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXT655SM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SO96
 

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FXT655SM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:25K  diodes
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FXT655SM

NPN SILICON PLANARFXT655MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

 9.1. Size:28K  diodes
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FXT655SM

NPN SILICON PLANARFXT651MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i

 9.2. Size:26K  diodes
 fxt657.pdf pdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANARFXT657MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

 9.3. Size:28K  diodes
 fxt653.pdf pdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANARFXT653MEDIUM POWER TRANSISTORISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V

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