FXT655SM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXT655SM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SO96

 Аналоги (замена) для FXT655SM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FXT655SM даташит

 8.1. Size:25K  diodes
fxt655.pdfpdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANAR FXT655 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I V I II I V V

 9.1. Size:28K  diodes
fxt651.pdfpdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANAR FXT651 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V 8 V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V 8 V I I V I II i V V I I V I i

 9.2. Size:26K  diodes
fxt657.pdfpdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANAR FXT657 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 FEB 94 T V I V i I TI T I i II i i Vi i E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I

 9.3. Size:28K  diodes
fxt653.pdfpdf_icon

FXT655SM

NPN SILICON PLANAR FXT653 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 1 MARCH 94 T V I V i i I E-Line T T TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V

Другие транзисторы: FXT614, FXT649, FXT649SM, FXT651, FXT651SM, FXT653, FXT653SM, FXT655, TIP41, FXT657, FXT657SM, FXT668, FXT68, FXT686M, FXT688B, FXT69, FXT690B