FZT649 Todos los transistores

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FZT649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FZT649

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: TO236

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FZT649 Datasheet (PDF)

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FZT649
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Discrete Power & Signal Technologies July 1998 FZT649 C E C B SOT-223 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter FZT649 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-Base

1.2. fzt649.pdf Size:97K _diodes

FZT649
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SOT223 NPN SILICON PLANAR FZT649 HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR ISSUE 4 FEBRUARY 1996 T V I V C i i I II i i E C T T T B T I D T I T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I 8 i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I T IT DITI II V V I V I II i V V I

1.3. fzt649.pdf Size:1044K _kexin

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SMD Type Transistors NPN Transistors FZT649 (KZT649) Unit:mm SOT-223 6.50±0.2 3.00±0.1 4 ■ Features ● Collector Current Capability IC=3A ● Collector Emitter Voltage VCEO=25V 1 2 3 ● Low saturation voltage 0.250 2.30 (typ) ● Complementary to FZT749 Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70±0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector ■ Absolute Maximum Ratings Ta =

Otros transistores... FZT493 , FZT549 , FZT591 , FZT593 , FZT600A , FZT600B , FZT604 , FZT605 , BC639 , FZT651 , FZT653 , FZT655 , FZT657 , FZT658 , FZT688B , FZT689B , FZT690B .

 


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