FZT649 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FZT649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FZT649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FZT649 даташит

 ..1. Size:46K  fairchild semi
 fzt649.pdf pdf_icon

FZT649

Discrete Power & Signal Technologies July 1998 FZT649 C E C B SOT-223 NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FZT649 Units 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 35 V VCBO Collector-B

 ..2. Size:495K  diodes
 fzt649.pdf pdf_icon

FZT649

A Product Line of Diodes Incorporated Green FZT649 25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 25V Case SOT223 IC = 3A High Continuous Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = 8A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(sat)

 ..3. Size:159K  onsemi
 fzt649.pdf pdf_icon

FZT649

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..4. Size:1044K  kexin
 fzt649.pdf pdf_icon

FZT649

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT649 (KZT649) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features Collector Current Capability IC=3A Collector Emitter Voltage VCEO=25V 1 2 3 Low saturation voltage 0.250 2.30 (typ) Complementary to FZT749 Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FZT493, FZT549, FZT591, FZT593, FZT600A, FZT600B, FZT604, FZT605, SS8050, FZT651, FZT653, FZT655, FZT657, FZT658, FZT688B, FZT689B, FZT690B