FZT849 Todos los transistores

 

FZT849 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FZT849
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO236
 

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FZT849 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  diodes
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FZT849

GreenFZT849 30V NPN MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 30V Case: SOT223 IC = 7A High Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; UL ICM = 20A Peak Pulse Current Flammability Rating 94V-0 PD = 3W Power Dissipation Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 E

 ..2. Size:733K  kexin
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FZT849

SMD Type TransistorsNPN TransistorsFZT849 (KZT849)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features Collector Current Capability IC=7A Collector Emitter Voltage VCEO=30V Very low saturation voltages1 2 3 Complementary to FZT9490.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings

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