FZT849 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FZT849

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для FZT849

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FZT849 даташит

 ..1. Size:674K  diodes
 fzt849.pdf pdf_icon

FZT849

Green FZT849 30V NPN MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 30V Case SOT223 IC = 7A High Continuous Collector Current Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound; UL ICM = 20A Peak Pulse Current Flammability Rating 94V-0 PD = 3W Power Dissipation Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 E

 ..2. Size:733K  kexin
 fzt849.pdf pdf_icon

FZT849

SMD Type Transistors NPN Transistors FZT849 (KZT849) Unit mm SOT-223 6.50 0.2 3.00 0.1 4 Features Collector Current Capability IC=7A Collector Emitter Voltage VCEO=30V Very low saturation voltages 1 2 3 Complementary to FZT949 0.250 2.30 (typ) Gauge Plane 1.Base 2.Collector 0.70 0.1 3.Emitter 4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings

Другие транзисторы: FZT757, FZT758, FZT788B, FZT789A, FZT790A, FZT792A, FZT795A, FZT796A, 2SC2383, FZT851, FZT853, FZT855, FZT857, FZT869, FZT948, FZT949, FZT951