2N372-33 Todos los transistores

 

2N372-33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N372-33
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
   Tensión colector-base (Vcb): 24 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO33-1
 

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2N372-33 Datasheet (PDF)

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2N37242N3725www.centralsemi.com2N3725ADESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3724, 2N3725, 2N3725A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for high voltage, high current, high speed switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERTO-39 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL 2N3724 2N3725 2N3725A UNITSCollector-Base Voltage VCB

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TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

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INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/728C completed by 25 January 2011. 25 October 2010 MIL-PRF-19500/728B SUPERSEDING 16 December 2007 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, SWITCHING, TYPES 2N3724, 2N3724L, 2N3724UB, 2N3725, 2N3725L, 2N3725UB,

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