2N372-33 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N372-33  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO33-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N372-33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N372-33 даташит

 9.1. Size:166K  rca
 2n372.pdf pdf_icon

2N372-33

 9.2. Size:492K  central
 2n3724 2n3725-a.pdf pdf_icon

2N372-33

2N3724 2N3725 www.centralsemi.com 2N3725A DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3724, 2N3725, 2N3725A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for high voltage, high current, high speed switching applications. MARKING FULL PART NUMBER TO-39 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL 2N3724 2N3725 2N3725A UNITS Collector-Base Voltage VCB

 9.3. Size:108K  central
 2n3726 2n3727.pdf pdf_icon

2N372-33

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 9.4. Size:938K  no
 2n3724l.pdf pdf_icon

2N372-33

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/728C completed by 25 January 2011. 25 October 2010 MIL-PRF-19500/728B SUPERSEDING 16 December 2007 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, SWITCHING, TYPES 2N3724, 2N3724L, 2N3724UB, 2N3725, 2N3725L, 2N3725UB,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3717, 2N3718, 2N3719, 2N372, 2N3720, 2N3721, 2N3722, 2N3723, TIP41, 2N3724, 2N3724A, 2N3725, 2N3725A, 2N3726, 2N3727, 2N3728, 2N3729