GD170 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GD170

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 33 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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GD170 datasheet

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HGD170N10A , P-1 HGI170N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 16.2 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 39 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

0.3. Size:958K cn hunteck
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HGD170N10AL , P-1 HGI170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 15 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 38.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification i

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