GD170A Todos los transistores

 

GD170A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GD170A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 33 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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GD170A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:145K  eupec
bsm50gd170dl.pdf pdf_icon

GD170A

European Power-Semiconductor andElectronics CompanyMarketing InformationBSM 50 GD 170 DL118.1194.5119121.599.94 x 19.05 = 76.219.05 3.8119 1817 16 151 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 123.81 1.15x1.015.245 x 15.24 =76.2110connections to be made externally21131 592 6 101917153 11748 12201401.07.1998BSM 50 GD 170 DL vorlufige DatenH

 9.3. Size:957K  cn hunteck
hgd170n10a hgi170n10a.pdf pdf_icon

GD170A

HGD170N10A , P-1HGI170N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching16.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability39 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Cir

 9.4. Size:958K  cn hunteck
hgd170n10al hgi170n10al.pdf pdf_icon

GD170A

HGD170N10AL , P-1HGI170N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level15RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability20RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness38.7 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification i

Otros transistores... GD150 , GD151 , GD152 , GD160 , GD160A , GD160B , GD160C , GD170 , BC337 , GD170B , GD170C , GD175 , GD175A , GD175B , GD175C , GD180 , GD180A .

History: ECG348 | PT23T8050 | 2N237

 

 
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