GES5910 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GES5910
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 700 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO236
Búsqueda de reemplazo de GES5910
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
GES5910 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... GES5827, GES5827A, GES5828, GES5828A, GES5855, GES5856, GES5857, GES5858, TIP3055, GES6000, GES6001, GES6002, GES6003, GES6004, GES6005, GES6006, GES6007
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor
