GES5910. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GES5910

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для GES5910

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GES5910 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: GES5827, GES5827A, GES5828, GES5828A, GES5855, GES5856, GES5857, GES5858, TIP3055, GES6000, GES6001, GES6002, GES6003, GES6004, GES6005, GES6006, GES6007