2N3766SM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3766SM  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO252

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2N3766SM datasheet

 0.1. Size:10K  semelab
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2N3766SM

2N3766SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0

 0.2. Size:10K  semelab
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2N3766SM

2N3766SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 4A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab herm

 8.1. Size:207K  aeroflex
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2N3766SM

NPN Power Silicon Transistor 2N3766 & 2N3767 Features Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/518 TO-66 (TO-213AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol 2N3766 2N3767 Units Collector - Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc Collector - Base Voltage VCBO 80 100 Vdc Emitter - Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Base Current IB 2.0 Adc Collector Current IC 4.0 Adc Total Power Di

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