GT115V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT115V
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
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GT115V Datasheet (PDF)
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History: BD227-10 | BCY32 | UN6215S | NPS753 | MQ3645 | MM3000 | BSP30T3
History: BD227-10 | BCY32 | UN6215S | NPS753 | MQ3645 | MM3000 | BSP30T3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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