GT115V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT115V

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 80 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

 Аналоги (замена) для GT115V

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT115V даташит

 9.1. Size:277K  russia
 gt115a-b-v-g-d.pdf pdf_icon

GT115V

Другие транзисторы: GT109G, GT109I, GT109J, GT109V, GT115A, GT115B, GT115D, GT115G, 2SD313, GT1201, GT1202, GT122A, GT122B, GT122G, GT122V, GT124A, GT124B