GT125G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT125G

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

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GT125G datasheet

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GT125G

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GT125G

GT125N10 GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON) technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.) charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130 A 4.1m to get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

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