GT125G Todos los transistores

 

GT125G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT125G
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 20 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GT125G

 

GT125G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:414K  russia
gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf

GT125G

 9.2. Size:3940K  goford
gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf

GT125G
GT125G

GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


GT125G
  GT125G
  GT125G
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D

 

 

 
Back to Top