GT125J Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT125J

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 71

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GT125J datasheet

 9.1. Size:414K  russia
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GT125J

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GT125J

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