GT308G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT308G
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 9 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
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GT308G Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT2887 , GT2888 , GT2906 , GT305A , GT305B , GT305V , GT308A , GT308B , TIP35C , GT308V , GT309A , GT309B , GT309D , GT309E , GT309G , GT309V , GT310A .
History: MPS2484R | 2SD1076 | MRF914 | PN3904R | TFNA14 | 2SA476
History: MPS2484R | 2SD1076 | MRF914 | PN3904R | TFNA14 | 2SA476



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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