Справочник транзисторов. GT308G

 

Биполярный транзистор GT308G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: GT308G
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
 

 Аналог (замена) для GT308G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GT308G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:968K  russia
gt308a-b-v 1t308a-b-v.pdfpdf_icon

GT308G

Другие транзисторы... GT2887 , GT2888 , GT2906 , GT305A , GT305B , GT305V , GT308A , GT308B , TIP35C , GT308V , GT309A , GT309B , GT309D , GT309E , GT309G , GT309V , GT310A .

History: 2SB1321A | GT115G | PUMD30 | 2SA1540 | 2N2139 | GT320V | 2SC572

 

 
Back to Top

 


 
.