2N3810 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N3810
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO77

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3810

2N3810 Datasheet (PDF)

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2n3810 2n3811.pdf

TECHNICAL DATA PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/336 Devices Qualified Level 2N3810 2N3811 JAN 2N3810L 2N3811L JANTX 2N3810U 2N3811U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO Collector Current 50 mAdc IC One Both Section 1

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2N3810HRHi-Rel PNP dual matched bipolar transistor 60 V, 0.05 ADatasheet - production dataFeatures BVCEO 60 VIC (max) 0.05 AHFE at 10 V - 150 mA > 150Operating temperature range -65C to +200C123465 Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor TO-78 LCC-6 Linear gain characteristics ESCC qualified European preferred part list - EPPL Radiatio

0.2. Size:305K microsemi
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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com PNP SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /336 DEVICES LEVELS 2N3810 2N3811 JAN2N3810L

0.3. Size:305K microsemi
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