HSE2012 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSE2012
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de HSE2012
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HSE2012 datasheet
NO DATA!
Otros transistores... HSE191 , HSE193 , HSE194 , HSE2000 , HSE2001 , HSE2002 , HSE2010 , HSE2011 , 2N5401 , HSE210 , HSE211 , HSE217 , HSE218 , HSE220 , HSE223 , HSE224 , HSE226 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550