HSE2012. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSE2012
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для HSE2012
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSE2012 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: HSE191, HSE193, HSE194, HSE2000, HSE2001, HSE2002, HSE2010, HSE2011, 2N5401, HSE210, HSE211, HSE217, HSE218, HSE220, HSE223, HSE224, HSE226
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550