Биполярный транзистор HSE2012 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: HSE2012
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам