2N3830 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3830  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO5

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2N3830 datasheet

 9.1. Size:62K  central
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2N3830

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:11K  semelab
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2N3830

2N3831 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 40V dia. IC = 1.2A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

 9.3. Size:135K  microsemi
 2n3838 2n4854.pdf pdf_icon

2N3830

TECHNICAL DATA NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/421 Devices Qualified Level JAN 2N4854 2N3838 JANTX 2N4854U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Sym 2N3838(2) 2N4854, U Unit Collector-Emitter Voltage 40 40 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 5.0 Vdc TO-78* VEBO 2N4854 Collector

Otros transistores... 2N3818, 2N382, 2N3825, 2N3826, 2N3827, 2N3828, 2N3829, 2N383, 2SC945, 2N3830L, 2N3831, 2N3832, 2N3833, 2N3834, 2N3835, 2N3836, 2N3837